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半导体要害资料又有新打破!西湖仪器完成12英寸碳化硅衬底激光剥离

  衬底激光剥离自动化处理方案,大幅度下降损耗,提高加工速度,推进了碳化硅职业的降本增效。

  与传统的硅资料比较,碳化硅具有更宽的禁带能隙、更高的熔点、更高的电子迁移率以及更高的热导率,可以在高温、高电压条件下安稳作业,已成为新能源与半导体工业晋级的要害资料,推进电动汽车、光伏发电、智能电网、无线通信等范畴的技能革命。

  但衬底资料本钱占有全体本钱的份额仍然居高不下,严峻阻止了碳化硅器材大规模的工业化推行。降本增效的重要办法之一是制作更大尺度的碳化硅衬底资料。与6英寸和8英寸衬底比较,12英寸衬底资料可以逐渐扩展单片晶圆上可用于芯片制作的面积,在平等出产条件下,显着提高产值,下降单位本钱。

  2024年12月,国内碳化硅头部企业已披露了最新一代12英寸碳化硅衬底,在引领世界开展的新趋势的一起,也提出了12英寸以上的超大尺度碳化硅衬底切片需求。

  与之相应,西湖仪器以最快速度推出了“超大尺度碳化硅衬底激光剥离技能”,首先处理了12英寸及更大尺度的碳化硅衬底“切片”难题。

  西湖仪器开创团队来自于西湖大学纳米光子学与仪器技能实验室,该团队多年来深耕于微纳光电子学范畴,包含微纳加工技能及仪器配备、微纳光子理论及光电器材、面向智能使用的要害理论与技能等,为西湖仪器供给了强壮的立异支撑和技能储备。

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